快科技6月5日消息,据TrendForce报道,SK海力士正着手大规模扩张DRAM产能。
目前,公司已与主要供应商分享了相关计划,目标是在2030年至2031年前后,将DRAM产能提升至当前水平(约每月55万片晶圆)的近两倍,其中包含无锡工厂的产能(约每月20万片晶圆)。
这一规划与集团董事长崔泰源在COMPUTEX 2026上的表态一致:未来五年内,SK海力士将全力推动整体晶圆产能翻倍。
扩建工程主要集中于韩国京畿道龙仁市的龙仁半导体集群——一个超大型半导体制造园区。
园区内的首座晶圆厂将建设六间洁净室,首批设备安装计划从原定的2027年5月提前至2027年2月。预计到2030年上半年,该工厂可新增每月36万片晶圆的产能,显著提升SK海力士对客户需求的响应能力。
另一项扩建工程位于韩国忠清北道清州市的M15X工厂,计划于2026年下半年开始运营,初始产能为每月4万片晶圆,并于2027年提升至每月8万片。
值得注意的是,SK海力士所有新增产能均将用于DRAM芯片的生产。与之相比,另一项核心业务——NAND闪存的战略重点并非快速扩张产能,而是技术迭代升级,如增加堆叠层数,两者侧重点明显不同。
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