完全自主产权 中国第四代半导体新突破!6英寸氧化镓单晶实现产业化

瞳瞳 0

快科技3月21日消息,近日,杭州镓仁半导体有限公司宣布,公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室。

采用自主开创的铸造法,成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶,并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。

完全自主产权 中国第四代半导体新突破!6英寸氧化镓单晶实现产业化
6英寸导电型氧化镓衬底

杭州镓仁半导体,也成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。

据介绍,氧化镓因其优异的性能和低成本的制造,成为目前最受关注的超宽禁带半导体材料之一,被称为第四代半导体材料。

该材料主要用于制备功率器件、射频器件及探测器件,在轨道交通、智能电网、新能源汽车、光伏发电、5G移动通信、国防军工等领域,均具有广阔应用前景。

完全自主产权 中国第四代半导体新突破!6英寸氧化镓单晶实现产业化
6英寸非故意掺杂(上)与导电型(下)氧化镓单晶

该公司表示,此次制备6英寸氧化镓衬底采用的铸造法,具有以下显著优势:

第一,铸造法成本低,由于贵金属Ir的用量及损耗相比其他方法大幅减少,成本显著降低;

第二,铸造法简单可控,其工艺流程短、效率高、尺寸易放大;

第三,铸造法拥有完全自主知识产权,中国和美国专利已授权,为突破国外技术垄断,实现国产化替代奠定坚实基础。

目前而言,日本的NCT在氧化镓衬底方面,仍占据着领先地位,但国内也总体呈现追赶态势。

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技

发表评论 取消回复
图片 链接